Nand 闪存单元上的坏块
Bad Block on Nand flahs cell
我正在研究闪存 (Nand) 的可靠性问题。我们知道，如果块损坏，它会调用 "bad block"。但我有一些问题让我感到困惑。期待您的帮助。
这是我的问题：
1.Can 我们也称那个单元格为“坏单元格”，其中包括坏块？
2.what是bad block和bad cell（或damaged cell）的区别吗？
在program/read或program/write时出现3.Can坏块？ （因为据我所知，它经常发生在擦除块上）
提前致谢。
在闪存中，一个cell是最小的存储单元，通常对应一个浮栅晶体管。
自然而然，坏电池是不工作存储单元。
该术语显然是有效的并被使用，至少在本文中是这样：Flash Memory Technology
Sometimes audio flash devices may contain some bad cells.
在 NAND 闪存中 cells 被组织成 pages 而不是字节，以便获得更好的 space 密度。
一个块是一组页，可以一起擦除；因此，blocks 只是一个 cells 的数组，而 bad block 是一个至少包含一个 坏电池 .
关于第三点，老实说我也说不清楚
阅读，只是一种感觉，应该不能真正打破细胞。
擦除，一定可以。
根据维基百科，可以使用 Hot Carrier Injection 进行编程，这可能会导致物理损坏。
我正在研究闪存 (Nand) 的可靠性问题。我们知道，如果块损坏，它会调用 "bad block"。但我有一些问题让我感到困惑。期待您的帮助。
这是我的问题：
1.Can 我们也称那个单元格为“坏单元格”，其中包括坏块？
2.what是bad block和bad cell（或damaged cell）的区别吗？
在program/read或program/write时出现3.Can坏块？ （因为据我所知，它经常发生在擦除块上）
提前致谢。
在闪存中，一个cell是最小的存储单元，通常对应一个浮栅晶体管。
自然而然，坏电池是不工作存储单元。
该术语显然是有效的并被使用，至少在本文中是这样：Flash Memory Technology
Sometimes audio flash devices may contain some bad cells.
在 NAND 闪存中 cells 被组织成 pages 而不是字节，以便获得更好的 space 密度。
一个块是一组页，可以一起擦除；因此，blocks 只是一个 cells 的数组，而 bad block 是一个至少包含一个 坏电池 .
关于第三点，老实说我也说不清楚
阅读，只是一种感觉，应该不能真正打破细胞。
擦除，一定可以。
根据维基百科，可以使用 Hot Carrier Injection 进行编程，这可能会导致物理损坏。