闪存在执行时会发生变化吗？
Does flash memory ever change on execution?
我需要使用 CRC 进行代码验证。在这种情况下，我所做的就是通过一种算法将找到的每个字节传递给闪存，以计算 CRC 并将结果与预定义的 CRC 值进行比较。
但是，我对闪存可能会在某个时候发生变化，导致 CRC 验证失败的想法挂断了。
假设代码没有被再次触及，闪存是否有可能在执行过程中发生变化？如果是这样，什么会导致它发生变化？我该如何避免上述变化？
闪存仅表示它在断电时保留其内容；闪存绝对是可擦除/可重新编程的。单独的术语只读存储器 (ROM) 表示在初始写入后无法更改。
但是内存不会改变，除非 CPU 指令触及它或者它降级或受到外部因素的影响。闪存内容可能会持续十年而不受干扰。通常是 read/write 周期数使闪存在老化之前降级。高静电荷可能会损坏闪光灯，但磁场应该影响不大。
如果您对硬件规格有任何影响，如果这是主要目的，则应考虑 ROM；为此，它比闪存有几个优点。
最后，您注意到您将通过 CRC 算法传递 "every byte" 内存。如果要将正确的校验和存储在同一存储介质中，则会遇到一个递归问题，即尝试预先计算包含它自己的校验和的校验和。在大多数情况下，有效的校验和应该位于内存的某个段中，该段本身不受扫描。
无论如何，如果 自发更改，这正是您的代码验证旨在捕获的内容，并且您希望并期望 CRC 失败，因此没有问题 - 它正在做它的工作
这主要不是自发更改的问题，而是一开始就没有正确编写，或者可能防止恶意或意外篡改的问题。如果闪存的一部分用于可变的非易失性存储，您显然不会将该区域包括在您的 CRC 中。如果您 将同一个闪存分区为代码 space 和 NV 存储，NV 存储代码中的潜在错误可能会无意中修改代码 space，因此您的 CRC 保护反对那个和外部篡改（例如通过 JTAG）。
闪存受制于 erase/write 循环耐久性，经过多次循环后，某些位可能会保留 "high"。部件之间的耐久性从大约 10000 到 100000 不等，并且很少成为代码存储的问题。闪存也有标称数据保留时间；这通常以 10 年为单位进行报价；但这是最坏情况下的极端条件评级 - 您的 CRC 再次防止这些影响。
我需要使用 CRC 进行代码验证。在这种情况下，我所做的就是通过一种算法将找到的每个字节传递给闪存，以计算 CRC 并将结果与预定义的 CRC 值进行比较。
但是，我对闪存可能会在某个时候发生变化，导致 CRC 验证失败的想法挂断了。
假设代码没有被再次触及，闪存是否有可能在执行过程中发生变化？如果是这样，什么会导致它发生变化？我该如何避免上述变化？
闪存仅表示它在断电时保留其内容；闪存绝对是可擦除/可重新编程的。单独的术语只读存储器 (ROM) 表示在初始写入后无法更改。
但是内存不会改变，除非 CPU 指令触及它或者它降级或受到外部因素的影响。闪存内容可能会持续十年而不受干扰。通常是 read/write 周期数使闪存在老化之前降级。高静电荷可能会损坏闪光灯，但磁场应该影响不大。
如果您对硬件规格有任何影响，如果这是主要目的，则应考虑 ROM；为此，它比闪存有几个优点。
最后，您注意到您将通过 CRC 算法传递 "every byte" 内存。如果要将正确的校验和存储在同一存储介质中，则会遇到一个递归问题，即尝试预先计算包含它自己的校验和的校验和。在大多数情况下，有效的校验和应该位于内存的某个段中，该段本身不受扫描。
无论如何，如果 自发更改，这正是您的代码验证旨在捕获的内容，并且您希望并期望 CRC 失败，因此没有问题 - 它正在做它的工作
这主要不是自发更改的问题，而是一开始就没有正确编写，或者可能防止恶意或意外篡改的问题。如果闪存的一部分用于可变的非易失性存储，您显然不会将该区域包括在您的 CRC 中。如果您 将同一个闪存分区为代码 space 和 NV 存储，NV 存储代码中的潜在错误可能会无意中修改代码 space，因此您的 CRC 保护反对那个和外部篡改（例如通过 JTAG）。
闪存受制于 erase/write 循环耐久性，经过多次循环后，某些位可能会保留 "high"。部件之间的耐久性从大约 10000 到 100000 不等，并且很少成为代码存储的问题。闪存也有标称数据保留时间；这通常以 10 年为单位进行报价；但这是最坏情况下的极端条件评级 - 您的 CRC 再次防止这些影响。