Synopsys ARC 处理器中的紧密耦合内存
Closely coupled memory in Synopsys ARC processors
我正在研究 Synopsys ARC EM 处理器（尤其是 EM4）。我遇到了他们所谓的紧耦合内存 (CCM)。
根据他们的文档，这是一个单周期访问RAM（容量高达2MB），用于存储指令和数据。在 EM4 中，CCM 在没有高速缓存或暂存器的情况下使用。据我所知，这甚至不是一种紧耦合内存（TCM）。
我想看看这个内存怎么可以这么快，但是一直没成功。 （我猜是因为容量大，很难做SRAM。）
你的问题似乎与 Whosebug 无关。
然而，"closely coupled memory" 似乎（对我而言）是 "on-chip memory" 的营销代言词。 SRAM 可以非常快 - 与 DRAM 不同，DRAM 的地址被多路复用，增加了多路复用的需要，静态 RAM 从全地址总线解码，并且可以像硅中的逻辑门一样快地工作，可以寻址存储位置。 2MB 非常适合 SRAM。 EM6 具有缓存 - 因此设计者可以选择是否为（大概）更好的 EM6 性能支付溢价，同时也不排除 EM4 所针对的注重成本的市场。术语 "tightly coupled memory" 似乎基本上是片上存储器的另一个（营销）术语，用于将其与 "bus-based systems" 区分开来，其中存储器将在片外，减慢速度，占用更多功率，占用更多董事会space，等等
我正在研究 Synopsys ARC EM 处理器（尤其是 EM4）。我遇到了他们所谓的紧耦合内存 (CCM)。
根据他们的文档，这是一个单周期访问RAM（容量高达2MB），用于存储指令和数据。在 EM4 中，CCM 在没有高速缓存或暂存器的情况下使用。据我所知，这甚至不是一种紧耦合内存（TCM）。
我想看看这个内存怎么可以这么快，但是一直没成功。 （我猜是因为容量大，很难做SRAM。）
你的问题似乎与 Whosebug 无关。
然而，"closely coupled memory" 似乎（对我而言）是 "on-chip memory" 的营销代言词。 SRAM 可以非常快 - 与 DRAM 不同，DRAM 的地址被多路复用，增加了多路复用的需要，静态 RAM 从全地址总线解码，并且可以像硅中的逻辑门一样快地工作，可以寻址存储位置。 2MB 非常适合 SRAM。 EM6 具有缓存 - 因此设计者可以选择是否为（大概）更好的 EM6 性能支付溢价，同时也不排除 EM4 所针对的注重成本的市场。术语 "tightly coupled memory" 似乎基本上是片上存储器的另一个（营销）术语，用于将其与 "bus-based systems" 区分开来，其中存储器将在片外，减慢速度，占用更多功率，占用更多董事会space，等等