运行 来自 RAM 而不是闪存的代码块
Running a block of code from RAM instead of flash
在下面的程序中，这行代码是什么意思
fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM
在下面的代码部分。我对这里发生的事情有一些想法，为了克服边读边写违规，使用上面的代码行将代码从闪存复制到 RAM。但是这些行的确切含义是什么。
static int fnProgram(unsigned long *ptrWord, unsigned long *ptr_ulWord)
{
while ((FTFL_FSTAT & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {} // wait for previous commands to complete
if ((FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR)) != 0) { // check for errors in previous command
FTFL_FSTAT = (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR); // clear old errors
}
FTFL_FCCOB0 = FCMD_PROGRAM; // enter the command sequence
FTFL_FCCOB1 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 16); // set address in flash
FTFL_FCCOB2 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 8);
FTFL_FCCOB3 = (unsigned char)((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord);
FTFL_FCCOB7_4 = *ptr_ulWord++; // enter the long word to be programmed
FTFL_FCCOBB_8 = *ptr_ulWord; // enter the second long word to be programmed
uDisable_Interrupt(); // protect this region from interrupts
fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM
uEnable_Interrupt(); // safe to accept interrupts again
return (FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_MGSTAT0)); // if there was an error this will be non-zero
}
唯一需要在 RAM 中的代码是：
static void fnFlashRoutineInRam(volatile unsigned char *ptrFTFL_BLOCK)
{
*ptrFTFL_BLOCK = FTFL_STAT_CCIF; // launch the command - this clears the FTFL_STAT_CCIF flag (register is FTFL_FSTAT)
while ((*ptrFTFL_BLOCK & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {} // wait for the command to terminate
}
这看起来像较旧的 NXP（以前的 Freescale/Motorola）HCS08、HCS12 或 Coldfire。在这些设备上，您在编写闪存驱动程序时会遇到不同的情况：要么可以从闪存执行，要么不能。这完全取决于 "bank" 程序闪存属于哪个：通常您不能从当前正在编程的同一个闪存库中在 MCU 上执行代码。
理想情况下，您将闪存编程代码放在另一组中，但有些设备只有一个闪存组。然后他们通过从 RAM 中执行代码来提供解决方法，这是一种快速而肮脏的修复方法。
通常他们通过提供一组原始数据操作码来解决这个问题。这个操作码数组被复制到 RAM，然后它们设置一个函数指针指向 RAM 地址。我怀疑 fnRAM_code 是这样一个函数指针。 (volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER 部分只是传递闪存状态寄存器的地址。 FLASH_STATUS_REGISTER 可能与 FSTAT 同义。
uDisable_Interrupt();和uEnable_Interrupt();应分别对应asm SEI和asm CLI，阻止所有可屏蔽中断在闪存写入期间触发，这可能会导致写入失败或程序挂起。
应该有可用的应用说明来详细描述所有这些。
请注意，此代码与硬件非常接近，并且依赖于大量定义不明确的行为。除了 Codewarrior 编译器，我不会指望它能按预期进行编译。例如，gcc 会吐出许多严格的别名错误。
在下面的程序中，这行代码是什么意思
fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM
在下面的代码部分。我对这里发生的事情有一些想法，为了克服边读边写违规，使用上面的代码行将代码从闪存复制到 RAM。但是这些行的确切含义是什么。
static int fnProgram(unsigned long *ptrWord, unsigned long *ptr_ulWord)
{
while ((FTFL_FSTAT & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {} // wait for previous commands to complete
if ((FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR)) != 0) { // check for errors in previous command
FTFL_FSTAT = (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR); // clear old errors
}
FTFL_FCCOB0 = FCMD_PROGRAM; // enter the command sequence
FTFL_FCCOB1 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 16); // set address in flash
FTFL_FCCOB2 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 8);
FTFL_FCCOB3 = (unsigned char)((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord);
FTFL_FCCOB7_4 = *ptr_ulWord++; // enter the long word to be programmed
FTFL_FCCOBB_8 = *ptr_ulWord; // enter the second long word to be programmed
uDisable_Interrupt(); // protect this region from interrupts
fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM
uEnable_Interrupt(); // safe to accept interrupts again
return (FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_MGSTAT0)); // if there was an error this will be non-zero
}
唯一需要在 RAM 中的代码是：
static void fnFlashRoutineInRam(volatile unsigned char *ptrFTFL_BLOCK)
{
*ptrFTFL_BLOCK = FTFL_STAT_CCIF; // launch the command - this clears the FTFL_STAT_CCIF flag (register is FTFL_FSTAT)
while ((*ptrFTFL_BLOCK & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {} // wait for the command to terminate
}
这看起来像较旧的 NXP（以前的 Freescale/Motorola）HCS08、HCS12 或 Coldfire。在这些设备上，您在编写闪存驱动程序时会遇到不同的情况：要么可以从闪存执行，要么不能。这完全取决于 "bank" 程序闪存属于哪个：通常您不能从当前正在编程的同一个闪存库中在 MCU 上执行代码。
理想情况下，您将闪存编程代码放在另一组中，但有些设备只有一个闪存组。然后他们通过从 RAM 中执行代码来提供解决方法，这是一种快速而肮脏的修复方法。
通常他们通过提供一组原始数据操作码来解决这个问题。这个操作码数组被复制到 RAM，然后它们设置一个函数指针指向 RAM 地址。我怀疑 fnRAM_code 是这样一个函数指针。 (volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER 部分只是传递闪存状态寄存器的地址。 FLASH_STATUS_REGISTER 可能与 FSTAT 同义。
uDisable_Interrupt();和uEnable_Interrupt();应分别对应asm SEI和asm CLI，阻止所有可屏蔽中断在闪存写入期间触发，这可能会导致写入失败或程序挂起。
应该有可用的应用说明来详细描述所有这些。
请注意，此代码与硬件非常接近，并且依赖于大量定义不明确的行为。除了 Codewarrior 编译器，我不会指望它能按预期进行编译。例如，gcc 会吐出许多严格的别名错误。