我正在尝试对 MLX90288 霍尔效应传感器进行编程并将参数写入其 EEPROM
I am trying to program a MLX90288 Hall effect sensor and write parameters into its EEPROM
提供的数据表显示了具有地址和位大小的参数。我想了解如何将这些与我的 arduino 一起使用来对该传感器进行编程。具体来说，参数旁边的符号“[4:0]”是什么意思。
MLX90288 上的所有校准参数都存储在 32 x 16 位非易失性 EEPROM 中。
“来自前 29 个地址的 EEPROM 参数以三重冗余存储，以通过使用多数表决来纠正任何 EEPROM 位是否会丢失其内容。因此，EEPROM 这部分中的 EEPROM 字仅保存信息索引 15 处的 5 个校准位 + 1 个锁定位。存储在地址 0 的 EEPROM 字如下所示：
{LOCK0,PARAM[4:0],PARAM[4:0],PARAM[4:0]}
所以这里说钳位电压是可编程的，但我不知道括号中的位是什么意思，也不知道如何将它们转换为十六进制：
例如CLPHigh[9:0]表示10位（从0到9）。
10 位最大值 = dec 1023 (bin 11 1111 1111)。
Vdd = 5 伏特，范围从 0% 到 100%（0V 到 5V）。
分辨率为 0.098% (100 / 1023 = 约 0.098)
假设您想将 CLPHigh 设置为 25%：25/0.098 = 255 (= 0xFF)
输出 DAC 分辨率 = 0.0244，因此 outDac 的 1/4 = 0.098
提供的数据表显示了具有地址和位大小的参数。我想了解如何将这些与我的 arduino 一起使用来对该传感器进行编程。具体来说，参数旁边的符号“[4:0]”是什么意思。 MLX90288 上的所有校准参数都存储在 32 x 16 位非易失性 EEPROM 中。
“来自前 29 个地址的 EEPROM 参数以三重冗余存储，以通过使用多数表决来纠正任何 EEPROM 位是否会丢失其内容。因此，EEPROM 这部分中的 EEPROM 字仅保存信息索引 15 处的 5 个校准位 + 1 个锁定位。存储在地址 0 的 EEPROM 字如下所示： {LOCK0,PARAM[4:0],PARAM[4:0],PARAM[4:0]}
所以这里说钳位电压是可编程的，但我不知道括号中的位是什么意思，也不知道如何将它们转换为十六进制：
例如CLPHigh[9:0]表示10位（从0到9）。
10 位最大值 = dec 1023 (bin 11 1111 1111)。
Vdd = 5 伏特，范围从 0% 到 100%（0V 到 5V）。 分辨率为 0.098% (100 / 1023 = 约 0.098)
假设您想将 CLPHigh 设置为 25%：25/0.098 = 255 (= 0xFF)
输出 DAC 分辨率 = 0.0244，因此 outDac 的 1/4 = 0.098