STM32参考手册中理解写入flash流程

Question

我正在对 stm32l412kb 进行编程，我将在某一时刻将数据写入闪存（从 UART）。从 stm32l41xx reference manual，我了解了在写入内存之前如何清除内存的步骤，但是在第 84 页上，有一个步骤在写入实际数据时我不知道该怎么做。那一步就是

Perform the data write operation at the desired memory address

它说的是什么数据写入操作？我看不到内存地址指向的任何寄存器，所以我假设它会使用指针？我该怎么做呢？

非常感谢您的帮助，非常感谢，

哈利

Answer 1

除了几件事（例如，仅在擦除后写入、计时、对齐，lock/unlock）之外，写入 RAM 和写入闪存之间没有太大区别。因此，如果您按照参考手册中的步骤进行操作并且闪存已准备就绪（即已清除和解锁），那么您只需获取对齐的内存地址并写入即可。

STM 自己的 HAL 库包含一个函数，可以为您完成所有繁琐的样板文件，并允许您 "just write":

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

这个函数在内部使用了一个执行实际写入的子程序，它看起来像这样：

static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)
{
  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program first word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;

  /* Barrier to ensure programming is performed in 2 steps, in right order
    (independently of compiler optimization behavior) */
  __ISB();

  /* Program second word */
  *(__IO uint32_t*)(Address+4U) = (uint32_t)(Data >> 32);
}

如您所见，其中没有任何魔法。它只是一个取消引用的指针和一个赋值。

Answer 2

What data write operation is it mentioning?

"data write" 只是对闪存中内存地址的正常写入。通常是 STR 汇编指令。看了你的datasheet，我猜闪存地址在0x08080000和0x00080000之间。

例如。以下 C 代码会将值 42 写入第一个闪存地址：

 *(volatile uint32_t*)0x00080000 = 42.

有关参考实现，您可以查看 stm32 hal drivers:

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program the double word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;
  *(__IO uint32_t*)(Address+4) = (uint32_t)(Data >> 32);

STM32参考手册中理解写入flash流程

Understanding the writing to flash process in the STM32 reference manual

c

stm32

read-write

flash-memory