机器代码的精确副本运行速度比原始函数慢 50%

Exact copy of machine code runs 50% slower than the original function

我一直在尝试在嵌入式系统上从 RAM 和闪存执行。对于快速原型制作和测试,我目前使用的是 Arduino Due (SAM3X8E ARM Cortex-M3)。据我所知,Arduino 运行时和引导加载程序在这里应该没有区别。

这里是问题所在:我有一个用 ARM Thumb 程序集编写的函数 (calc)。 calc 计算一个数字并 returns 它。 (给定输入的运行时间>1s)现在我手动提取该函数的汇编机器代码并将其作为原始字节放入另一个函数中。确认这两个函数驻留在闪存中(地址 0x80149 和 0x8017D,彼此相邻)。这已通过拆卸和 运行时检查。

void setup() {
  Serial.begin(115200);
  timeFnc(calc);
  timeFnc(calc2);
}

void timeFnc(int (*functionPtr)(void)) {
  unsigned long time1 = micros();

  int res = (*functionPtr)();

  unsigned long time2 = micros();
  Serial.print("Address: ");
  Serial.print((unsigned int)functionPtr);
  Serial.print(" Res: ");
  Serial.print(res);
  Serial.print(": ");
  Serial.print(time2-time1);
  Serial.println("us");

}

int calc() {
   asm volatile(
      "movs r1, #33 \n\t"
      "push {r1,r4,r5,lr} \n\t"
      "bl .in \n\t"
      "pop {r1,r4,r5,lr} \n\t"
      "bx lr \n\t"

      ".in: \n\t"
      "movs r5,#1 \n\t"
      "subs r1, r1, #1 \n\t"
      "cmp r1, #2 \n\t"
      "blo .lblb \n\t"
      "movs r5,#1 \n\t"

      ".lbla: \n\t"
      "push {r1, r5, lr} \n\t"
      "bl .in \n\t"
      "pop {r1, r5, lr} \n\t"
      "adds r5,r0 \n\t"
      "subs r1,#2 \n\t"
      "cmp r1,#1 \n\t"
      "bhi .lbla \n\t"
      ".lblb: \n\t"
      "movs r0,r5 \n\t"
      "bx lr \n\t"
      ::
   ); //redundant auto generated bx lr, aware of that
}

int calc2() {
  asm volatile(
    ".word  0xB5322121 \n\t"
    ".word  0xF803F000 \n\t"
    ".word  0x4032E8BD \n\t"
    ".word  0x25014770 \n\t"

    ".word  0x29023901 \n\t"
    ".word  0x800BF0C0 \n\t"
    ".word  0xB5222501 \n\t"
    ".word  0xFFF7F7FF \n\t"
    ".word  0x4022E8BD \n\t"
    ".word  0x3902182D \n\t"
    ".word  0xF63F2901 \n\t"
    ".word  0x0028AFF6 \n\t"
    ".word  0x47704770 \n\t"
  );
}

void loop() {

}

上述程序在 Arduino Due 目标上的输出是:

Address: 524617 Res: 3524578: 1338254us
Address: 524669 Res: 3524578: 2058819us

所以我们确认结果相等,运行时的地址也符合预期。手动输入机器代码函数的执行速度慢了 50%。

用arm-none-eabi-objdump反汇编进一步确认了各自的地址、闪存驻留和机器码的相等性(注意字节顺序和字节分组!):

00080148 <_Z4calcv>:
   80148:   2121        movs    r1, #33 ; 0x21
   8014a:   b532        push    {r1, r4, r5, lr}
   8014c:   f000 f803   bl  80156 <.in>
   80150:   e8bd 4032   ldmia.w sp!, {r1, r4, r5, lr}
   80154:   4770        bx  lr

00080156 <.in>:
   80156:   2501        movs    r5, #1
   80158:   3901        subs    r1, #1
   8015a:   2902        cmp r1, #2
   8015c:   f0c0 800b   bcc.w   80176 <.lblb>
   80160:   2501        movs    r5, #1

00080162 <.lbla>:
   80162:   b522        push    {r1, r5, lr}
   80164:   f7ff fff7   bl  80156 <.in>
   80168:   e8bd 4022   ldmia.w sp!, {r1, r5, lr}
   8016c:   182d        adds    r5, r5, r0
   8016e:   3902        subs    r1, #2
   80170:   2901        cmp r1, #1
   80172:   f63f aff6   bhi.w   80162 <.lbla>

00080176 <.lblb>:
   80176:   0028        movs    r0, r5
   80178:   4770        bx  lr
}
   8017a:   4770        bx  lr

0008017c <_Z5calc2v>:
   8017c:   b5322121    .word   0xb5322121
   80180:   f803f000    .word   0xf803f000
   80184:   4032e8bd    .word   0x4032e8bd
   80188:   25014770    .word   0x25014770
   8018c:   29023901    .word   0x29023901
   80190:   800bf0c0    .word   0x800bf0c0
   80194:   b5222501    .word   0xb5222501
   80198:   fff7f7ff    .word   0xfff7f7ff
   8019c:   4022e8bd    .word   0x4022e8bd
   801a0:   3902182d    .word   0x3902182d
   801a4:   f63f2901    .word   0xf63f2901
   801a8:   0028aff6    .word   0x0028aff6
   801ac:   47704770    .word   0x47704770
}
   801b0:   4770        bx  lr
    ...

我们可以进一步确认类似使用的调用约定:

00080234 <setup>:
void setup() {
   80234:   b508        push    {r3, lr}
  Serial.begin(115200);
   80236:   4806        ldr r0, [pc, #24]   ; (80250 <setup+0x1c>)
   80238:   f44f 31e1   mov.w   r1, #115200 ; 0x1c200
   8023c:   f000 fcb4   bl  80ba8 <_ZN9UARTClass5beginEm>
  timeFnc(calc);
   80240:   4804        ldr r0, [pc, #16]   ; (80254 <setup+0x20>)
   80242:   f7ff ffb7   bl  801b4 <_Z7timeFncPFivE>
}
   80246:   e8bd 4008   ldmia.w sp!, {r3, lr}
  timeFnc(calc2);
   8024a:   4803        ldr r0, [pc, #12]   ; (80258 <setup+0x24>)
   8024c:   f7ff bfb2   b.w 801b4 <_Z7timeFncPFivE>
   80250:   200705cc    .word   0x200705cc
   80254:   00080149    .word   0x00080149
   80258:   0008017d    .word   0x0008017d

我可以排除这是由于某种推测性提取(Cortex-M3 似乎有!)或中断造成的。 (编辑:不,我不能。可能是某种预取)更改执行顺序或在其间添加函数调用不会更改结果。罪魁祸首是什么?


编辑: 更改机器代码函数的对齐方式(插入 nops 作为序言)后,我得到以下结果:

+16bit for calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102257us
Address: 524669 Res: 3524578: 1846968us

+32 位用于 calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102257us
Address: 524669 Res: 3524578: 1535424us

+48bit for calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102155us
Address: 524669 Res: 3524578: 1413180us

+64 位用于 calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102155us
Address: 524669 Res: 3524578: 1346606us

+80bit for calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102145us
Address: 524669 Res: 3524578: 1180105us

编辑2: 只有 运行 计算:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102155us

只有 运行 calc2:

Address: 524617 Res: 3524578: 1102257us

更改顺序:

Address: 524669 Res: 3524578: 1554160us
Address: 524617 Res: 3524578: 1102211us

编辑3: 在标签 .in 前添加 .p2align 4 仅用于计算,单独执行:

Address: 524625 Res: 3524578: 1413185us

两者都与原始基准相同:

Address: 524625 Res: 3524578: 1413185us
Address: 524689 Res: 3524578: 1535424us

EDIT4:反转 flash 中的位置完全改变了结果。 -> 线性预取?

从闪存执行代码的速度取决于每个分支目标的等待周期数和代码对齐。在这个和类似的处理器中,比如STM32F103,当核心运行s处于最高频率时,闪存需要3个等待周期。这意味着每个采用的分支可能需要 2 到 5 个周期,这可能会影响总 运行 时间。

为了补偿 FLASH 的缓慢,这些处理器有一个宽的 FLASH 总线和一个获取缓冲区。 SAM3X 有一对 128 位指令缓冲区,它们似乎以预取模式填充 [1].

要优化紧密循环,请尝试适应 32 字节代码块并将其对齐到 16 字节边界(或更好的 32,以防万一)。此外,检查 FLASH 参数是否设置正确可能是个好主意,即在此 MCU 中启用预取且总线宽度设置为 128 位。将代码复制到 RAM 可能是一种选择,但与正常工作的提取缓冲区相比,这很痛苦并且实际上会减慢速度。

[1] http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/Atmel-11057-32-bit-Cortex-M3-Microcontroller-SAM3X-SAM3A_Datasheet.pdf,第 294 页,图 18-2、18-3。