(STM32) 擦除闪存和写入闪存给出 HAL_FLASH_ERROR_PGP 错误（使用 HAL）

Question

正在尝试写入闪存以存储一些配置。我正在使用 STM32F446ze，我想将最后一个 16kb 扇区用作存储空间。

我在擦除我的扇区时指定了VOLTAGE_RANGE_3。 VOLTAGE_RANGE_3 映射到：

#define FLASH_VOLTAGE_RANGE_3        0x00000002U  /*!< Device operating range: 2.7V to 3.6V                */

我在使用 FLASH_TYPEPROGRAM_WORD 写入闪存时遇到错误。错误是 HAL_FLASH_ERROR_PGP。阅读参考手册，我读到这与使用错误的 parallelism/voltage 级别有关。

从参考手册我可以读到

此外，在参考手册中我可以读到：

Programming errors

It is not allowed to program data to the Flash memory that would cross the 128-bit row boundary. In such a case, the write operation is not performed and a program alignment error flag (PGAERR) is set in the FLASH_SR register. The write access type (byte, half-word, word or double word) must correspond to the type of parallelism chosen (x8, x16, x32 or x64). If not, the write operation is not performed and a program parallelism error flag (PGPERR) is set in the FLASH_SR register

所以我想：

我擦除电压范围3的扇区
这给了我 2.7 到 3.6v 规格
这给了我 x32 并行度大小
我应该可以将 WORD 写入闪存。

但是，这一行给我一个错误（解锁闪光灯后）

    uint32_t sizeOfStorageType = ....; // Some uint I want to write to flash as test

    HAL_StatusTypeDef flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, address++, (uint64_t) sizeOfStorageType);
    auto err=  HAL_FLASH_GetError(); // err == 4 == HAL_FLASH_ERROR_PGP: FLASH Programming Parallelism error flag  

    while (flashStatus != HAL_OK)
    {
    }

但是当我开始写入字节时，一切正常。

    uint8_t *arr = (uint8_t*) &sizeOfStorageType;
    HAL_StatusTypeDef flashStatus;
    for (uint8_t i=0; i<4; i++)
    {
        flashStatus = HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, address++, (uint64_t) *(arr+i));
        while (flashStatus != HAL_OK)
        {
        }
    }

我的问题：

擦除一个扇区后，我只能写入一个TYPEPROGRAM，我理解的对吗？因此，擦除后我只能写字节，OR，半字，OR，字，OR双字？
在上述情况下我错过了什么/做错了什么。为什么我只能写字节，而我用VOLTAGE_RANGE_3擦除？

Answer 1

这看起来像是数据对齐错误，但不是参考手册中提到的与128位闪存行相关的错误。那个可能只与双字写入有关，与你的情况无关。

如果你想一次编程 4 个字节，你的 address 需要字对齐，这意味着它需要被 4 整除。此外，address 不是 uint32_t*（指针），它是一个原始的 uint32_t，所以 address++ 将它递增 1，而不是 4。据我所知，Cortex M4 内核将总线上的未对齐访问转换为多个更小的对齐访问自动，但这违反了 flash 并行规则。

顺便说一句，执行字节、半字和字的混合写入是完全有效的，只要它们正确对齐即可。此外，与 F0、F1 和 F3 系列的闪存硬件不同，您可以尝试覆盖以前写入的位置而不会导致错误。 0->1 位变化被忽略。

(STM32) 擦除闪存和写入闪存给出 HAL_FLASH_ERROR_PGP 错误（使用 HAL）

(STM32) Erasing flash and writing to flash gives HAL_FLASH_ERROR_PGP error (using HAL)

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