恒定 STM32L4 ADC 偏移误差的可能来源
Possible sources of constant STM32L4 ADC offset error
我已经使用 STM32l4 ( STM32l342kc nucleo-32 ) 线几年了，在我目前正在进行的项目中，我意识到我的读数有一个恒定的负 ADC 偏移（大约 52mV） .
系统 运行 处于 10 位连续模式，具有 DMA 传输和硬件 8X 过采样。出于某种原因，第一次计数开始时比预期高约 50mV（第一次计数开始于 52mV 而不是预期的 3mV）。当我用 3306mV 使 ADC 饱和时，ADC 记录一个比最大计数低 52mV 的信号（读起来好像是 3248mV）。我已经通过 3 次外部电压测量确认我发送的电压是准确的。
我试过同时输入两个 buffered/un-buffered/low 阻抗直流信号，结果是一样的。我还玩过系统的采样时间，结果在所有测试中都是可重复的。
最后说明，STM32 运行 在 ST 的官方开发板上，我还测试了不同的 ADC 通道，所有测量都是在面包板和 MCU 的引脚上进行的，以决定连接不良。我也尝试过不使用 8 倍过采样。
我想知道是否有人对我可能忽略的错误的可能来源有任何建议 and/or 我可以 test/implement 的任何可能的解决方案。提前谢谢你。
STM32L432KC Nucleo 板没有附带高精度参考。正如您所指出的，它只是为设备的模拟区域供电的 3.3V LDO。这很可能是您的错误来源，因为它是一个相对便宜、不准确的产生 3.3V 的部件。校准有助于消除偏移和增益误差，并可导致更准确的测量，但如果您使用从 LSB 到绝对值的典型转换方法（并且您正在寻找该绝对值），则不正确的参考会给您带来该错误马上回来。系列参考的第 517 页显示了如何在软件中实现这一点。
在此方法之上，您可以尝试使用系列参考第 582 页上概述的过程通过内部参考测量参考的绝对电压。如果您结合这种方法来很好地了解 LDO 的 Vref+ 是什么，并结合适当的校准，您可能能够减少偏移误差，以及您显示的轻微增益误差。
我已经使用 STM32l4 ( STM32l342kc nucleo-32 ) 线几年了，在我目前正在进行的项目中，我意识到我的读数有一个恒定的负 ADC 偏移（大约 52mV） .
系统 运行 处于 10 位连续模式，具有 DMA 传输和硬件 8X 过采样。出于某种原因，第一次计数开始时比预期高约 50mV（第一次计数开始于 52mV 而不是预期的 3mV）。当我用 3306mV 使 ADC 饱和时，ADC 记录一个比最大计数低 52mV 的信号（读起来好像是 3248mV）。我已经通过 3 次外部电压测量确认我发送的电压是准确的。
我试过同时输入两个 buffered/un-buffered/low 阻抗直流信号，结果是一样的。我还玩过系统的采样时间，结果在所有测试中都是可重复的。
最后说明，STM32 运行 在 ST 的官方开发板上，我还测试了不同的 ADC 通道，所有测量都是在面包板和 MCU 的引脚上进行的，以决定连接不良。我也尝试过不使用 8 倍过采样。
我想知道是否有人对我可能忽略的错误的可能来源有任何建议 and/or 我可以 test/implement 的任何可能的解决方案。提前谢谢你。
STM32L432KC Nucleo 板没有附带高精度参考。正如您所指出的，它只是为设备的模拟区域供电的 3.3V LDO。这很可能是您的错误来源，因为它是一个相对便宜、不准确的产生 3.3V 的部件。校准有助于消除偏移和增益误差，并可导致更准确的测量，但如果您使用从 LSB 到绝对值的典型转换方法（并且您正在寻找该绝对值），则不正确的参考会给您带来该错误马上回来。系列参考的第 517 页显示了如何在软件中实现这一点。
在此方法之上，您可以尝试使用系列参考第 582 页上概述的过程通过内部参考测量参考的绝对电压。如果您结合这种方法来很好地了解 LDO 的 Vref+ 是什么，并结合适当的校准，您可能能够减少偏移误差，以及您显示的轻微增益误差。