当 µc (nRF52840) 进入休眠模式时，我们如何保存他起床后要使用的数据？
when the µc (nRF52840) is passing into sleep mode how can we save Data that we want to use later when he's up?
我正在研究 nRF52840 µc，µc 每 3 小时被唤醒一次，我必须将数据（4 字节）保存到选项卡中[16]，这样我就可以在 2 天后发送这 16 个值。
不熟悉该部分，但查看参考手册，on-chip RAM 是静态的，这意味着只要保持电源供电，它就会保持其值 - 即使在睡眠模式下或通过重置.您需要 set-up link 映射和 start-up 代码以避免初始化 start-up 上的保留区域。
或者，将 256K 闪存分成 4K erase-block 页，您可以保留整个页（即设置 link 映射以避免在此处定位代码）。闪存的耐久性只有 10000 次擦除周期，但即使您每两天擦除一次块，它也会持续 >54 年。由于您正在写入一个只有 64 字节的数据块，您可以通过 4K 顺序写入块，这样最高地址的 non-blank 64 字节块就是当前数据；那么您只需要在页面完全填满后擦除页面，将耐用性延长至 3500 年。
不过要注意flash作为一些限制：
- 必须写成32位字
- 一个 32 位字只能写入两次，然后必须擦除才能再次写入。
也就是说你可以写 0xFFFFFF00，然后是 0xFFFF00FF，然后这个词就会包含 0xFFFF0000，但是你不能再写那个词的高两个字节。
使用代码闪存的另一个问题是，在擦除时，总线停顿并且无法获取指令。这意味着您的代码停止 运行。此扫描在 real-time 系统中是一个严重的问题；但考虑到您的系统一次休眠 3 小时，大概没有关键的 micro-second 级别计时截止日期？
部件提供的另一种可能性是 UICR（用户信息配置寄存器），non-volatile 内存的一个特殊区域，包括 32 个字（128 字节）的客户定义数据。然而，这对于动态存储可能不太实用，因为该区域包含 Nordic 保留字和设备配置，并且像普通闪存一样，擦除会删除整个 UICR，因此您必须在擦除和重写之前复制数据。不是真正的电源故障安全。耐力仍然是 10000 次擦除周期，如果你像上面那样条带化，只有 128 字节将耐力延长到 20000 次周期或每 4 天擦除 109 年。
除此之外还有 off-chip NV 存储设备，例如 EEPROM、FRAM、闪存，甚至 SD/MMC 卡（带有文件系统）。这些可以通过可用的 SPI、I2C (TWI) 或 QSPI 接口之一连接。 Whist 可能比 on-chip flah 具有更高的耐用性，这可能仍然是某些设备的考虑因素。 FRAM 没有耐久性问题，而 SD 卡的容量很大，因此在描述的应用程序中不太可能成为问题。
我正在研究 nRF52840 µc，µc 每 3 小时被唤醒一次，我必须将数据（4 字节）保存到选项卡中[16]，这样我就可以在 2 天后发送这 16 个值。
不熟悉该部分，但查看参考手册，on-chip RAM 是静态的，这意味着只要保持电源供电，它就会保持其值 - 即使在睡眠模式下或通过重置.您需要 set-up link 映射和 start-up 代码以避免初始化 start-up 上的保留区域。
或者，将 256K 闪存分成 4K erase-block 页，您可以保留整个页（即设置 link 映射以避免在此处定位代码）。闪存的耐久性只有 10000 次擦除周期，但即使您每两天擦除一次块，它也会持续 >54 年。由于您正在写入一个只有 64 字节的数据块，您可以通过 4K 顺序写入块，这样最高地址的 non-blank 64 字节块就是当前数据；那么您只需要在页面完全填满后擦除页面，将耐用性延长至 3500 年。
不过要注意flash作为一些限制：
- 必须写成32位字
- 一个 32 位字只能写入两次，然后必须擦除才能再次写入。
也就是说你可以写 0xFFFFFF00，然后是 0xFFFF00FF，然后这个词就会包含 0xFFFF0000，但是你不能再写那个词的高两个字节。
使用代码闪存的另一个问题是，在擦除时，总线停顿并且无法获取指令。这意味着您的代码停止 运行。此扫描在 real-time 系统中是一个严重的问题；但考虑到您的系统一次休眠 3 小时，大概没有关键的 micro-second 级别计时截止日期？
部件提供的另一种可能性是 UICR（用户信息配置寄存器），non-volatile 内存的一个特殊区域，包括 32 个字（128 字节）的客户定义数据。然而，这对于动态存储可能不太实用，因为该区域包含 Nordic 保留字和设备配置，并且像普通闪存一样，擦除会删除整个 UICR，因此您必须在擦除和重写之前复制数据。不是真正的电源故障安全。耐力仍然是 10000 次擦除周期，如果你像上面那样条带化，只有 128 字节将耐力延长到 20000 次周期或每 4 天擦除 109 年。
除此之外还有 off-chip NV 存储设备，例如 EEPROM、FRAM、闪存，甚至 SD/MMC 卡（带有文件系统）。这些可以通过可用的 SPI、I2C (TWI) 或 QSPI 接口之一连接。 Whist 可能比 on-chip flah 具有更高的耐用性，这可能仍然是某些设备的考虑因素。 FRAM 没有耐久性问题，而 SD 卡的容量很大，因此在描述的应用程序中不太可能成为问题。