无法从闪存中擦除数据（STM32）

Question

我正在尝试将一些数据保存到我的 STM32F407 板上的闪存中。在我保存它们之前，我需要擦除内存扇区。我选择了从地址 0x08004000 开始的 16 KB Sector1，并选择了 Voltage range 2.1-2.7 V。我正在使用 HAL 库。

程序在 FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; 行后停止响应 HAL_FLASHEx_Erase() -> FLASH_Erase_Sector() 函数.

我很确定这是我的错，但我找不到问题所在。

HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
                           FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_1;
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_2;
EraseInitStruct.NbSectors = 1;
uint32_t SectorError = 0;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError) != HAL_OK) {     
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}

uint16_t data = 300;
//----------------------------write data
if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, start_address, data) != HAL_OK) {
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}
HAL_FLASH_Lock();

我是否选择了错误的电压范围或扇区数？

感谢您的回答。

Answer 1

如果您的程序大于 16k，那么您只是成功地从闪存中擦除了一部分。您应该从闪存的末尾选择一个扇区（但擦除时间会更长），或者在您的链接器配置中稍微重新排列这些部分。

Answer 2

我找到了解决方案。我使用 HAL_FLASH_Lock() 函数而不是 HAL_FLASHEx_Erase() 函数，它工作正常。我还更改了SECTOR，因为我不小心删除了我的程序。

unit32_t address = 0x0800C000;
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);

FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_3, VOLTAGE_RANGE_3);

//----------------------------write data  
uint8_t data = 'A';
if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, address, data) != HAL_OK) {
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}
HAL_FLASH_Lock();

感谢您的帮助。

无法从闪存中擦除数据（STM32）

Can´t erase data from flash memory (STM32)

c

stm32f4discovery

flash-memory

hal